SJ 20013-1992《半導(dǎo)體分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ級(jí)ＣＳ１０型硅Ｎ溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范》基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：

SJ 20013-1992

中文名稱：

《半導(dǎo)體分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ級(jí)ＣＳ１０型硅Ｎ溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范》

發(fā)布日期：

1992-02-01

實(shí)施日期：

1992-05-01

發(fā)布部門：

中國(guó)電子工業(yè)總公司

提出單位：

中國(guó)電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局

歸口單位：

中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所

起草單位：

中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所

起草人：

王長(zhǎng)福、吳志龍、張宗國(guó)、劉美英

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：

A01技術(shù)管理

SJ 20013-1992《半導(dǎo)體分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ級(jí)ＣＳ１０型硅Ｎ溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范》介紹

SJ 20013-1992《半導(dǎo)體分立器件 GP、GT和GCT級(jí)CS10型硅N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范》是中國(guó)電子工業(yè)總公司于1992年2月1日發(fā)布的一項(xiàng)重要標(biāo)準(zhǔn)。自1992年5月1日起，該標(biāo)準(zhǔn)正式實(shí)施。

一、標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容

1、產(chǎn)品分類

標(biāo)準(zhǔn)將硅N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管分為GP、GT和GCT三個(gè)等級(jí)，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

2、技術(shù)要求

標(biāo)準(zhǔn)對(duì)硅N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的技術(shù)要求進(jìn)行了嚴(yán)格規(guī)定，包括器件的電氣特性、溫度特性、機(jī)械特性等。電氣特性主要包括器件的漏電流、輸入電容、輸入電阻、輸出電阻、開(kāi)關(guān)速度等參數(shù)。溫度特性主要涉及器件在不同溫度范圍內(nèi)的工作性能，以確保器件在各種環(huán)境條件下的可靠性。機(jī)械特性包括器件的尺寸、重量、封裝形式等，以滿足不同安裝和使用需求。

3、測(cè)試方法

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的測(cè)試方法，包括電氣特性測(cè)試、溫度特性測(cè)試和機(jī)械特性測(cè)試等，以確保產(chǎn)品符合技術(shù)要求。

4、檢驗(yàn)規(guī)則

標(biāo)準(zhǔn)對(duì)硅N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢驗(yàn)規(guī)則進(jìn)行了規(guī)定，包括出廠檢驗(yàn)、型式檢驗(yàn)和周期檢驗(yàn)等，以確保產(chǎn)品質(zhì)量。

5、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存

標(biāo)準(zhǔn)對(duì)硅N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存也進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)定，以保證產(chǎn)品在流通過(guò)程中的完整性和安全性。

二、標(biāo)準(zhǔn)的意義

SJ 20013-1992標(biāo)準(zhǔn)的制定和實(shí)施，對(duì)于規(guī)范半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)和應(yīng)用、提高產(chǎn)品質(zhì)量、促進(jìn)行業(yè)發(fā)展具有重要意義。通過(guò)嚴(yán)格執(zhí)行該標(biāo)準(zhǔn)，相關(guān)企業(yè)可以生產(chǎn)出更高質(zhì)量、更可靠的硅N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品，滿足市場(chǎng)需求，提升競(jìng)爭(zhēng)力。

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。