SJ/T 11491-2015《短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量》基本信息

標準號：

SJ/T 11491-2015

中文名稱：

《短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量》

發(fā)布日期：

2015-04-30

實施日期：

2015-10-01

發(fā)布部門：

中華人民共和國工業(yè)和信息化部

SJ/T 11491-2015《短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量》介紹

SJ/T 11491-2015《短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量》是由中華人民共和國工業(yè)和信息化部于2015年4月30日發(fā)布，并于同年10月1日起正式實施的一項國家標準。

一、標準適用范圍

SJ/T 11491-2015標準適用于采用短基線紅外吸收光譜法測量半導體級多晶硅、單晶硅和硅片中間隙氧含量。該標準不適用于其他類型的硅材料。

二、標準主要內容

1、術語和定義

標準*先對“間隙氧”、“紅外吸收光譜法”、“短基線紅外吸收光譜法”等術語進行了明確的定義，為后續(xù)的測量方法和結果解讀提供了基礎。

2、原理

短基線紅外吸收光譜法是一種基于硅中間隙氧對紅外光的吸收特性來測量硅中間隙氧含量的方法。標準詳細闡述了該方法的原理，包括紅外光的吸收、反射和透射等現(xiàn)象。

3、儀器設備

標準規(guī)定了測量硅中間隙氧含量所需的儀器設備，包括紅外光譜儀、樣品制備設備等，并對其性能要求進行了明確。

4、樣品制備

樣品制備是測量硅中間隙氧含量的關鍵步驟。標準對樣品的切割、拋光、清洗等過程進行了詳細的規(guī)定，以確保樣品的質量和測量結果的準確性。

5、測量方法

標準詳細描述了短基線紅外吸收光譜法的測量步驟，包括樣品的固定、紅外光的照射、吸收光譜的記錄等，并對測量過程中可能出現(xiàn)的問題進行了分析和解決方案的提供。

6、結果計算

標準規(guī)定了硅中間隙氧含量的計算方法，包括吸收峰的識別、定量分析等，并提供了計算公式和示例。

7、精密度和準確度

標準對測量結果的精密度和準確度進行了規(guī)定，包括重復性、再現(xiàn)性等指標，并提供了相應的測試方法和評價標準。

三、標準的意義

1、提高硅材料質量

通過規(guī)范硅中間隙氧含量的測量方法，可以更準確地評估硅材料的性能，從而提高硅材料的整體質量。

2、促進產(chǎn)業(yè)升級

標準的實施有助于推動硅材料產(chǎn)業(yè)的技術進步和產(chǎn)業(yè)升級，提高硅材料的附加值。

3、保障消費者權益

準確的硅中間隙氧含量測量結果，有助于消費者更好地了解硅材料的性能，保障消費者的合法權益。

4、推動國際合作

SJ/T 11491-2015標準與國際標準接軌，有助于推動我國硅材料產(chǎn)業(yè)的國際合作和交流。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。