檢測(cè)報(bào)告圖片

第三方檢測(cè)報(bào)告有效期

一般檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。

間歇壽命試驗(yàn)檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些?檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室可根據(jù)DB61/T 1448-2021 大功率半導(dǎo)體分立器件間歇壽命試驗(yàn)規(guī)程等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定試驗(yàn)方案。對(duì)樣品檢測(cè)的間歇壽命試驗(yàn)等項(xiàng)目進(jìn)行檢測(cè)分析。并出具嚴(yán)謹(jǐn)公正的按鈕壽命試驗(yàn)報(bào)告。

檢測(cè)項(xiàng)目

間歇壽命試驗(yàn)等。

適用范圍

PCB、電容、電阻、電感器件、電聲器件、磁材料及器件、電接插元件等。

相關(guān)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

DB61/T 1448-2021 大功率半導(dǎo)體分立器件間歇壽命試驗(yàn)規(guī)程

GB/T 15651.4-2017 半導(dǎo)體器件 分立器件 第5-4部分:光電子器件 半導(dǎo)體激光器

GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管

GB/T 21039.1-2007 半導(dǎo)體器件 分立器件 第4-1部分:微波二*管和晶體管 微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T 20516-2006 半導(dǎo)體器件 分立器件 第4部分:微波器件

GB/T 4589.1-2006 半導(dǎo)體器件 第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T 13150-2005 半導(dǎo)體器件 分立器件 電流大于 100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三*晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T 13151-2005 半導(dǎo)體器件 分立器件 第6部分;晶閘管 第三篇 電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三*晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T 15651.2-2003 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第5-2部分;光電子器件基本額定值和特性

GB/T 15651.3-2003 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分;光電子器件測(cè)試方法

GB/T 6589-2002 半導(dǎo)體器件 分立器件 第3-2部分;信號(hào)和調(diào)整二*管電壓調(diào)整二*管和電壓基準(zhǔn)二*管空白詳細(xì)規(guī)范

GJB 128A-97 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上關(guān)于《間歇壽命試驗(yàn)測(cè)試報(bào)告》內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。