檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用高分辨X 射線(xiàn)衍射測(cè)量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗(yàn)方法。本方法適用于在未摻雜GaAs襯底<001>方向上生長(zhǎng)的AlGaAs外延層中Al含量的測(cè)定,使用本方法測(cè)量Al元素含量時(shí),AlGaAs外延層厚度應(yīng)大于300nm。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 24576-2009
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：高分辯率X射線(xiàn)衍射測(cè)量GaAs襯底生長(zhǎng)的AlGaAs中Al成分的試驗(yàn)方法
英文名稱(chēng)：Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2009-10-30
實(shí)施日期：2010-06-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專(zhuān)用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)先聯(lián)系客服查詢(xún)！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)為非營(yíng)利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問(wèn)題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
