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GB/T13539.4-2016低壓熔斷器第4部分:半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求

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檢測執(zhí)行標準信息一覽:

標準簡介:本部分的補充要求適用于安裝在具有半導體裝置的設(shè)備上的熔斷體,該熔斷體適用于標稱電壓不超過交流1 000 V或直流1 500 V的電路。如適用,還可用于更高的標稱電壓的電路。?

標準號:GB/T 13539.4-2016

標準名稱:低壓熔斷器 第4部分:半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求

英文名稱:Low-voltage fuses—Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

標準類型:國家標準

標準性質(zhì):推薦性

標準狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:2016-04-25

實施日期:2016-11-01

中國標準分類號(CCS):電工>>低壓電器>>K31低壓配電電器

國際標準分類號(ICS):電氣工程>>電工器件>>29.120.50熔斷器和其他過載保護

替代以下標準:替代GB/T 13539.4-2009

起草單位:上海電器科學研究院

歸口單位:全國熔斷器標準化技術(shù)委員會(SAC/TC 340)

發(fā)布單位:國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.

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