標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 24581-2022

標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測(cè)定 低溫傅立葉變換紅外光譜法

英文名稱(chēng)：Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method

發(fā)布部門(mén)：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

發(fā)布日期：2022-03-09

實(shí)施日期：2022-10-01

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行/即將實(shí)施

替代標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 24581-2009

文件格式：PDF

文件頁(yè)數(shù)：9頁(yè)

起草單位：樂(lè)山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所、青海芯測(cè)科技有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司、江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技有限公司、洛陽(yáng)中硅高科技有限公司、新疆協(xié)鑫新能源材料科技有限公司、國(guó)標(biāo)(北京)檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江蘇秦烯新材料有限公司、義烏力邁新材料有限公司

起草人員：梁洪、趙曉斌、萬(wàn)濤、薛心祿、魏東亮、王彬、邱艷梅、楊素心、李素青、李朋飛、趙培芝、王永濤、魏強(qiáng)、楚東旭、周延江、劉文明、劉紅、何建*、皮坤林

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：

本文件描述了用低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)定硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的方法。

本文件適用于硅單晶中的Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)鋁（Al)、銻（Sb)、砷（As)、硼（B)、鎵（Ga)、銦（In)和 磷（P)含量的測(cè)定，各元素的測(cè)定范圍（以原子數(shù)計(jì))為1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3